16 de octubre de 2019
  • Martes, 15 de Octubre
  • 31 de agosto de 2009

    COMUNICADO: Progreso en el avance de la producción de una lámina de 3" SiC por TankeBlue

    PEKÍN, August 31 /PRNewswire/ --

    TankeBlue Semiconductor Co. Ltd., pionera en la industria SiC dentro de la región de Asia-Pacífico, ha avanzado recientemente en la producción de láminas 3" SiC de alta calidad. A principios de este año, TankeBlue redujo el precio de sus láminas de 2" a un nivel récord como respuesta a la demanda de mercado cada vez mayor mostrada por los clientes SiC en todo el mundo. Actualmente, puede suministrar a gran escala, láminas de conducto de tipo-n de 3" 4H-SiC con una densidad de micro-tubos por debajo de los 10 cm-2, un parámetro de calidad clave para las aplicaciones. Los otros parámetros clave, como la resistencia (menor que 0,03 ohm.cm), la anchura completa con la mitad máxima (FWHM: 30 arcsec) de curva de roca de rayos-X de la lámina 3" 4H-SiC también sirve para conseguir que la calidad de la lámina sea muy competitiva en comparación con otros proveedores de EE.UU. y Europa. Además, la calidad de fabricación de las láminas dentro de las láminas SiC es contrastada de forma dispuesta-epi, cuenta con un crecimiento excelente de GaN y/o capas-epi SiC en la lámina SiC. El instrumento SiC, como diodo de barrera Schottky, semiconductor de metal / transistor de efectos de campo óxidos, procesados en la lámina por parte de los clientes, ha demostrado un alto rendimiento comparable a la pérdida de las láminas SiC de otros proveedores. Está claro que esto sirve para que TankeBlue se convierta en la nueva fuente de suministro de láminas 3" SiC, y seguramente, sea una nueva adición para la comunidad mundial de semiconductores SiC.

    Como ya se sabe, los instrumentos semiconductores basados en silicio son complicados de utilizar con temperaturas por encima de los 523 K. Esto limita las funciones y aplicaciones de los instrumentos basados en silicio. Gracias a sus excelentes propiedades térmicas y eléctricas, las láminas de tipo-n SiC son un sustrato ideal para fabricar instrumentos energéticos SiC en aplicaciones de alta temperatura, alta potencia, alta frecuencia y alta radiación, además de para los requisitos de ahorro energético. Los esfuerzos de la compañía en el desarrollo del cristal 4" SiC han crecido a fin de convertirse en uno de los principales desarrolladores del mercado de las láminas, y ya están en marcha para conseguir este objetivo.

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    Alley Shi

    TankeBlue Semiconductors Co. Ltd.

    Tel: +86-10-6267-0611

    Email: TKHD-Sales@tankeblue.com

    Página web: http://www.tankeblue.com

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