MADRID, 23 Dic. (Portaltic) -
Samsung ha anunciado el inicio de la producción masiva de memorias DRAM tipo LPDDR4 de 8 GB con tecnología de fabricación de 20 nanómetros para dispositivos móviles.
Las memorias DRAM ofrecen el doble de rendimiento y densidad en comparación con los LPDDR3 de 4 GB con tecnología de fabricación de 20 nanómetros. El nuevo LPDDR4 de 8 GB requiere de un paquete de LPDDR4 de 4GB para ser creado, ha explicado la compañía en un comunicado.
"Con el inicio de la producción de los LPDDR4 de 8 GB, que es incluso más rápido que los DRAM para PC y servidores y consume menos energía, estamos contribuyendo con el plan de lanzar dispositivos insignia de calidad UHD y pantallas más grandes", ha explicado el vicepresidente ejecutivo de Memory Sales y MArketing en Samsung Electronics, Joo Sun Choi.
La tecnología de chips móviles LPDDR4 operan a un voltaje reducido de 1.1V respecto a las memorias LPDDR3, lo que hace que el nuevo chip de Samsung sea la solución de bajo consumo disponible para las pantallas de gran tamaño de los teléfonos y los móviles y para los sistemas de red de alto rendimiento.
Los nuevos chips de memoria de Samsung LPDDR4 reducen el consumo energético al tiempo que habilitan las operaciones de alta frecuencia en voltajes más bajos para una eficiencia energética óptima.
Samsung ha comenzado a proveer de memorias DRAM LPDDR4 de 2 GB y 3 GB basadas en las matrices de los LPDDR4 de 8 GB y 6 GB, respectivamente, a los comerciantes y fabricantes de dispositivos móviles y proveerá de paquetes LPDDR4 de 4 GB a principios de 2015. Respecto a los nuevos LPDDR4 de 8 GB, Samsung espera poder incrementar rápidamente el volumen de producción.
